|
ВП19М-21Б412-00У3.17 660В-440В 10А
|
92:1
|
1
|
110,60
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
ЛЗЕ-0,4-1200В 10%20(22выв)(85-88г.)
|
НУ:8, 88:8
|
16
|
45,25
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
ЛЗТ-0,4-1200В 10%20 (22выв.) 89г.
|
87:11, 89:40
|
51
|
35,19
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
ЛЗТ-0,4-1200В 10%20 (22выв.) 91г.
|
91:23
|
23
|
45,25
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
М004-1200
|
00:9
|
9
|
3,02
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
М014-1200
|
00:1
|
1
|
10,05
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
Линия задержки ЛЗТ-0.4-1200В 20 10%
|
ВП 198* Н.уп.:
|
3
|
30,16
|
23.04.2024 13:16:28
|
|
|
|
Линия задержки ЛЗТ-0.4-1200В 20 10%
|
ВП 1974 Н.уп.: 10
|
40
|
30,16
|
23.04.2024 13:16:28
|
|
|
|
Линия задержки ЛЗТ-0.4-1200В 20 10%
|
ВП 1990 Н.уп.:
|
8
|
30,16
|
23.04.2024 13:16:28
|
|
|
|
Линия задержки ЛЗТ-0.4-1200В 20 10%
|
ВП 1989 Н.уп.:
|
20
|
30,16
|
23.04.2024 13:16:28
|
|
|
|
Линия задержки ЛЗТ-0.4-1200В 20 10%
|
ВП 1978 Н.уп.:
|
40
|
30,16
|
23.04.2024 13:16:28
|
|
|
|
Линия задержки ЛЗТ-0.4-1200В 20 10%
|
ВП 1976 Н.уп.: 10
|
60
|
30,16
|
23.04.2024 13:16:28
|
|
|
|
Линия задержки ЛЗТ-0.4-1200В 20 20%
|
ВП 1985 Н.уп.: 10
|
22
|
27,15
|
23.04.2024 13:16:28
|
|
|
|
Линия задержки ЛЗТ-0.4-1200В 20 10%
|
ВП 1985 Н.уп.:
|
40
|
30,16
|
23.04.2024 13:16:28
|
|
|
|
Линия задержки ЛЗТ-0.4-1200В 20 10%
|
ВП 197* Н.уп.:
|
12
|
30,16
|
23.04.2024 13:16:28
|
|
|
|
М014-1200 гальванометр
|
1982
|
1
|
20,11
|
18.04.2024 14:55:38
|
|
|
|
Микросхема б533ла4-1 (2007г.)
|
Микрон (5)
|
45
|
11,06
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
транзистор 2N4341 (2003г.)
|
(VISHAY Siliconix - N-Channel JFETs, TO-18)
|
117
|
20,79
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
транзистор 2N4341 (2005г.)
|
(VISHAY Siliconix - N-Channel JFETs, TO-18)
|
30
|
20,79
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
Микросхема б521са4-1 (2008г.)
|
Альфа
|
4
|
11,06
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
